這些 CENTRAL SEMICONDUCTOR 雙器件是低 VCE(SAT) 硅晶體管，采用 SOT-563 表面貼裝封裝，專為需要低集電極發(fā)射極飽和電壓的小信號通用放大器和開關應用而設計。

• 這些晶體管具有較低的集電極發(fā)射極飽和電壓（VCE(SAT)），這意味著在飽和狀態(tài)下，晶體管消耗的功率較小，有助于提高工作效率并減少熱量產生。
• 采用SOT-563封裝形式，這種小型化的封裝使得晶體管非常適合用于表面貼裝技術（SMT），有助于節(jié)省電路板空間，提高生產效率和自動化程度。
• 這些晶體管專為需要低VCE(SAT)的小信號通用放大器和開關應用而設計，能夠在這些應用中提供穩(wěn)定、可靠的放大和開關性能。

產地：美國

集電極基極電壓：40V

集電極-發(fā)射極電壓：25V

發(fā)射極基極電壓：6.0 V

連續(xù)集電極電流：1.0 A

峰值集電極電流：1.5 A

功耗：350 mW

工作溫度：-65至+150°C

存儲接面溫度：-65至+150°C

熱阻：357°C/W

封裝：SOT-563