AXUV 探測(cè)器系列可對(duì) 0.0124 至 190 nm的光子、電子或 X 射線進(jìn)行高性能測(cè)量，并可探測(cè) 100 eV 至 50 keV 的能量。裝運(yùn)時(shí)附帶臨時(shí)蓋板，以保護(hù)光電二極管陣列和導(dǎo)線鍵合。 取下蓋子之前，請(qǐng)閱讀應(yīng)用說(shuō)明 “AXUV、SXUV 和 UVG 檢測(cè)器的處理注意事項(xiàng)”。隨著時(shí)間的推移，對(duì)低能量輻射和 150 nm 以下波長(zhǎng)的響應(yīng)能力將受到影響。

圓形有效區(qū)域

電子探測(cè)的適配選擇

防護(hù)蓋板

產(chǎn)地：美國(guó)

光電二極管：Φ5 mm

25 ℃ 時(shí)的電子光學(xué)特性

有源面積 Φ5.5 mm：23 mm²

分流電阻 V_f = ± 10 mV：100 MΩ

反向擊穿電壓V_R ，I_R = 1 µA：5 至 10 V

電容C，V_R = 10 伏：500 至 1500 pF

上升時(shí)間 V_R = 0 V，R_L = 50 Ω：2 us

熱參數(shù)

環(huán)境溫度：-10 至 40 ℃

氮?dú)饣蛘婵眨?20 至 80 ℃

引線焊接溫度：260 ℃

注意事項(xiàng)：溫度超過(guò)這些參數(shù)可能會(huì)在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長(zhǎng)。

引線焊接：距離外殼 0.080 英寸，持續(xù) 10 秒

航空航天、汽車、生物技術(shù)、食品加工、軍事/國(guó)防、工業(yè)、半導(dǎo)體設(shè)備制造、測(cè)試和測(cè)量