ProE-Vap 傳輸系統(tǒng)專為原子層沉積 (ALD) 和化學氣相沉積 (CVD) 工藝中使用的固體前驅(qū)體而設計。它能為當前和未來技術節(jié)點中使用的各種固體材料提供穩(wěn)定的質(zhì)量流量。固體前驅(qū)體由于蒸汽壓力低、熱穩(wěn)定性有限，很難穩(wěn)定地輸送到沉積室中。ProE-Vap 系統(tǒng)克服了這些問題，提供了業(yè)內(nèi)適配解決方案。與其他蒸發(fā)器相比，ProE-Vap 傳輸系統(tǒng)能以更低的溫度更穩(wěn)定地傳輸固體前驅(qū)體，從而降低 ALD 和 CVD 的擁有成本。它能很大限度地減少化學濃度漂移，從而提高晶圓產(chǎn)量，減少工具停機時間。自 2008 年以來，ProE-Vap 已在大批量生產(chǎn)環(huán)境中證明了其高可靠性和強大的性能。它支持輸送制造高度復雜的微電子器件所需的各種無機和過渡金屬前驅(qū)體。提供多種配置，可安裝在不同的 OEM 工具套件上

用于固體前驅(qū)體輸送的創(chuàng)新設計安瓿

在較低溫度下提供更高的質(zhì)量流量

支持氣動和手動閥門選項

整體性能高，在蒸發(fā)器使用壽命內(nèi)流量始終如一

經(jīng)證明可用于半導體應用中的多種固體前驅(qū)體，并可用于 LED 等其他新興技術

可有效使用前驅(qū)體，大限度地減少過熱導致的分解

與多個 OEM 工具兼容；支持開發(fā)型大批量晶片處理

降低擁有成本

材料汽化表面積增加 6 倍

托盤可改善材料的熱傳導，從而提高熱均勻性

載氣流穿過固體表面，以提高汽化材料的拾取率

產(chǎn)地：美國

Max溫度：200 至 250°C (392 至 482 °F)，視配置而定

Max壓力：工作溫度下 100 psig

外形尺寸（高×寬）：258.27 × 139.7 mm（10.17 × 5.5 英寸）

氣體入口位置：中軸

接頭類型：1⁄4 " 內(nèi)螺紋 VCR

高度：257 mm（10.12 英寸）

氣體出口位置：偏離中軸1.5"

接頭類型：1⁄4 " 外螺紋 VCR

高度：258.27 mm（10.17 英寸）

材質(zhì)：316L SS

表面處理：≤ 10 Ra

載氣：UHP He（氦氣）、UHP N₂（氮氣）、UHP Ar（氬氣）

頂氣：5 psi He

原子層沉積、高κ電容器和門控電容器、金屬壁壘和電極、無氟鎢 (FFW)