Opto Diode 的高功率近紅外發(fā)光二極管（near-IRLED）是監(jiān)控或夜視應用的適配之選。我們的器件單芯片可產生高達 250 mW 的直流電；陣列可產生高達 1000 mW 的直流電。我們的標準和定制配置可根據(jù)您的核心輸出規(guī)格進行定制。

寬溫度額定值

2 引線 TO-39 封裝

窄發(fā)射角

隔離外殼

符合 RoHS 和 REACH 規(guī)范

產地：美國

25 ℃ 時的電光特性

總輸出功率P_o ，I_F = 500 mA：50 至 100 mW

峰值發(fā)射波長λ_P ，I_F = 50 mA：880 nm

50% 時的光譜帶寬Δλ ，I_F = 50 mA：55 nm

半強度光束角θ ，I_F = 50 mA：7 度

正向電壓V_F ，I_F = 500 mA：1.75 至 2 V

反向擊穿電壓V_R ，I_R = 10 µA：5 至 30 V

上升時間：20 ns

下降時間：20 ns

25 ℃ 外殼溫度下的Max額定_abs值

超過 25 ℃ 時按熱降額曲線降額，功率耗散：1000 mW

連續(xù)正向電流：500 mA

超過 25 ℃ 時按線性遞減，峰值正向電流（10 µs，200 Hz）：1.5 A

反向電壓：5 V

引線焊接溫度（距外殼 1/16 英寸，10 秒）：260 ℃

熱參數(shù)

存儲和工作溫度范圍：-65 至 150 ℃

Max結溫：150 ℃

熱阻，R_THJA：150 ℃/W 典型值

熱阻，R_THJC：60 ℃/W 典型值

監(jiān)控、夜視應用