在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的作用是將控制信號(hào)放大到足以驅(qū)動(dòng) MOSFET 的柵極電壓和電流水平，同時(shí)提供電氣隔離和保護(hù)功能，以確保 MOSFET 和整個(gè)電路安全穩(wěn)定地運(yùn)行。具體到車用 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，對(duì)于高速開(kāi)關(guān)、小型化、低功耗、低成本，以及高可靠性，則有更高的要求。

Vishay 推出的 VOMDA1271 車規(guī)級(jí)光伏 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，在 SOP-4 小型封裝中集成了關(guān)斷電路（典型關(guān)斷時(shí)間為 0.7 ms）；導(dǎo)通時(shí)間為 0.05 ms；開(kāi)關(guān)速度和 8.5 V 開(kāi)路輸出電壓等特性均達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平；其隔離電壓高達(dá) 3750 V，工作溫度范圍: -40 °C 至 +125 °C，有助于工程師在開(kāi)發(fā)下一代汽車應(yīng)用時(shí)，可以用定制固態(tài)繼電器取代傳統(tǒng)機(jī)電式繼電器，從而提高可靠性，降低成本并節(jié)省空間。

光隔離式 VOMDA1271 采用 AIGaAs 紅外 LED，其發(fā)射光被光伏柵陣列吸收，產(chǎn)生 MOSFET 導(dǎo)通電壓。這種結(jié)構(gòu)由于不需要外部電源， 因此能夠簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低成本。

為產(chǎn)生驅(qū)動(dòng) IGBT 和 SiC MOSFET 的較高電壓，可以通過(guò)串聯(lián)兩個(gè) VOMDA1271 光耦實(shí)現(xiàn)。與此同時(shí)，該器件可由微控制器的 GPIO 引腳驅(qū)動(dòng)，從而進(jìn)一步提高設(shè)計(jì)靈活性。

上述這些特性，使得 VOMDA1271 非常適用于預(yù)充電電路、壁掛式充電器，以及 xEV 的電池管理系統(tǒng) ( BMS ) 等汽車應(yīng)用。