當(dāng)前所在位置: 首頁 > 產(chǎn)品首頁 >電力、電子、半導(dǎo)體 >光學(xué)器件 >OPTO DIODE紫外增強(qiáng)型探測器SXUV20HS1
SXUV 系列極紫外(EUV)增強(qiáng)型檢測器具有良好的 13.5 納米光刻能力,在 1 到 190 nm的極紫外曝光條件下具有穩(wěn)定的響應(yīng)性,是進(jìn)行核心的極紫外光測量的適配之選。溫度超過這些參數(shù)可能會在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長。隨著時間的推移,對低能量輻射和 150 nm 以下波長的響應(yīng)能力將受到影響。裝運(yùn)時附帶臨時蓋板,以保護(hù)光電二極管陣列和導(dǎo)線鍵合。取下蓋子之前,請閱讀應(yīng)用說明 “AXUV、SXUV 和 UVG 檢測器的處理注意事項(xiàng)”。
圓形有效區(qū)域
適用于 EUV 檢測
高速
柵線 5 微米,間距 100 微米
高輻射硬度
高光子通量魯棒性
TO-8 封裝
防護(hù)蓋板
產(chǎn)地:美國
零件編號:ODD-SXU-004
有源面積:19.7 mm2
25 ℃ 時的電光特性
有源面積 Φ5.01 mm:20 mm2
反向擊穿電壓VR ,IR = 1 µA:160 V
電容C ,VR = 0 V:500 至 1500 pF
上升時間 RL = 50 Ω,VR = 150 V:3.5 ns
暗電流 VR = 150 V:100 nA
熱參數(shù)
環(huán)境溫度:-10 至 40 ℃
氮?dú)饣蛘婵眨?20 至 80 ℃
引線焊接溫度:260 ℃
引線焊接:距離外殼 0.080 英寸,持續(xù) 10 秒
航空航天、汽車、生物技術(shù)、食品加工、軍事/國防、工業(yè)、半導(dǎo)體設(shè)備制造、測試和測量
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